常压射频低温冷等离子体具有温度低、损伤小、成本少和没有环境污染等优点，在许多领域，如刻蚀、镀膜、表面改性以及杀菌消毒等领域，都具有巨大的应用前景，近几年来已成为国际上研究的热点之一。掌握常压射频低温冷等离子体设备的研制，了解它的放电特性，并进行相关方面的实验研究具有重要的学术价值和实际意义。 课题研制了常压射频喷枪式冷等离子体(APPJ)和浸入式冷等离子体设备(APUP)，分别对高温烘烤后光刻胶和硅进行了刻蚀研究。运用常压射频低温冷等离子体刻蚀，国际上都是采用价格较高的氦气作为携带气体，我们通过比较氦气和氩气放电的电学和温度特性，认为氩气比氦气具有更好的温度特性和加热效率。实验利用氩氧等离子体放电对高温烘烤的光刻胶S9912和聚酰亚胺进行了大面积刻蚀即清洗实验，结果表明对高温烘烤后的光刻胶刻蚀一样具有较高的清洗速率。在刻蚀硅材料的实验研究中，通过改变放电参数得到与刻蚀速度的关系，同时比较了不同宽度的图形之间的刻蚀结果。 本课题属于探索性实验研究，目的是开拓该技术在半导体领域的实际应用。