随着CMOS技术发展到22nm节点及以下，体硅平面器件已经达到了等比例缩小的一个极限，短沟道效应对器件的继续缩小提出了严峻的考验。半导体行业在新材料、新器件结构以及工艺技术等方面进行了大量的创新研究，确定了未来的两大技术发展路线:以FinFET为代表的新型三维器件结构和以FDSOI为代表的平面器件结构。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术作为下一代技术的有力竞争者，相对于体硅三维器件来说有很多优势。主要包括:优秀的短沟道效应控制能力;FDSOI器件不需要掺杂的沟道避免了随机杂质波动的问题;制备FDSOI器件的工艺流程与传统体硅工艺完全兼容;可以使用背栅偏压调制器件性能等等。　　本文研究了减薄BOX厚度对器件的影响，并且研究了对其施加背栅偏压带来的器件性能调制作用。本文从仿真和实验两个角度出发，研究了超薄埋氧层(UTB)结构对FDSOI器件性能的影响，发现减薄的BOX厚度给FDSOI器件带来了器件性能的提升，以及短沟道效应的更好控制。施加背栅偏压不仅可以更灵敏地调制FDSOI器件性能，而且可以有效地优化器件的短沟道效应。