【摘 要】
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锗酸铋（BGO）晶体密度高,辐射长度短,不潮解,近年来被广泛用于核医学领域,特别是用于正电子发射断层扫描仪（PET）中,目前对BGO晶体的研究集中在低成本、大尺寸晶体的生长与晶体闪烁
【出 处】
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中国科学院研究生院 中国科学院大学
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锗酸铋（BGO）晶体密度高,辐射长度短,不潮解,近年来被广泛用于核医学领域,特别是用于正电子发射断层扫描仪（PET）中,目前对BGO晶体的研究集中在低成本、大尺寸晶体的生长与晶体闪烁性能的改进上,该论文就Bridgman法生长BGO晶体宏观缺陷、提高BGO晶体生长质量的工艺优化和掺La<,2>O<,3>、Gd<,2>O<,3>、Y<,2>O<,3>和Yb<,2>O<,3>的BGO晶体作了研究.首先,该文对Bridgman法生长大尺寸BGO晶体容易出现的一些宏观缺陷进行了研究.该文的第二部分探讨了Bridgman法生长高质量的大尺寸BGO晶体条件,讨论了生长原料、生长速度和界面温度梯度等生长工艺对晶体生长及晶体质量的影响,特别是生长温度梯度对晶体质量的影响,比较了不同温度梯度下生长出来的晶体的闪烁性能,发现大温度梯度生长出来的晶体的抗辐射损伤性能比小温度梯度生长出来的晶体差,并分析了其可能原因.并建议了一些比较好的生长参数.该论文的第三部分主要对稀土掺杂BGO晶体的生长及闪烁性能的研究.
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