氮化铝薄膜制备及性能研究

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在这篇论文中,AlN薄膜是由中频脉冲磁控溅射制备,主要考察了不同衬底温度和退火温度对AlN薄膜结构和性能的影响,特别研究了AlN薄膜的光学性质和发光特性。结晶材料AlN具有6.28eV的直接带隙使得其在紫外光范围具有透光窗口,如果进行掺杂还可能得到在紫外光范围内发光的光电器件。AlN有许多十分有用的机械和电学性质,它具有的高硬度、高热导性、耐高温、耐腐蚀,与Si和GaA_s有合理的温度适配性,使得AlN能够作为很好的电子封装材料。同时AlN不受电磁辐射、电子和离子轰击的影响。另外,AlN
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