随着太阳电池技术的发展,硅太阳能电池的厚度越来越薄,薄的硅片厚度也带来了更多的长波光损失,要想继续提高电池的转化效率,就对背面的载流子浓度提出了更高的要求。铝背场(Al-BSF)作为一种背面的高浓度掺杂层,在降低背面复合速率方面有十分明显的效果。然而由于A1在Si的溶解度较低,很难得到一个较高的铝背场掺杂浓度,这也在一定程度上限制了晶体硅太阳电池的转化效率。硼在Si中有较高的溶解度,通过在铝浆料中掺杂硼可以得到一个较高的背场掺杂浓度,但是硼扩散对烧结温度的要求较高,需要找到合适的烧结温度。本文我们通过在铝浆中掺杂硼制备铝背场,研究了不同的硼掺杂量及烧结条件对铝背场深度、载流子浓度及电学性能的影响；通过ALD沉积氧化铝薄膜,研究了氧化铝薄膜对方块电阻不同样品的钝化效果,及氧化铝薄膜对掺硼铝背场的钝化效果。经过实验,我们得到了以下结论：(1)在铝浆中掺杂硼可以明显提高铝背场的掺杂浓度,达到1019atoms/cm3,掺杂硼也可以提高P+层深度和开路电压,但在一定程度上会造成填充因子的降低；(2)烧结峰值温度过低会造成硼扩散不均匀,烧结温度过高会降低背场电学性能,800℃是比较合适的烧结温度；(3)氧化铝可以提高背场的钝化效果,退火可以提高氧化铝的钝化效果,掺杂硼对氧化铝的钝化效果没有明显的影响；(4)方块电阻在70Ω-100Ω/□左右时少子寿命最高,氧化铝钝化效果最好,此时的合金层已经大部分被腐蚀,而P+层仍较为完整的保存。