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近年来,ZnO基半导体受到越来越多的关注。室温下的ZnO具有良好的物理性能：禁带宽度为3.37 eV左右,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下激子发射。在蓝光及紫外光发光二极管、激光器和光探测器等方面有重要应用价值。Co掺杂ZnO材料(Co-ZnO)是ZnO基半导体中较为典型的一种,因其优良的导电和发光性能以及可能存在的铁磁性而被广泛用于自旋半导体及相关器件方面的研究。本文利用磁控溅射,使用ZnO陶瓷靶和Co金属靶双耙共溅射的方法,通过改变Co靶材上的溅射功率和溅射腔中氧氩气的流速比