Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究

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二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙半导体,其带隙约3.6eV且具有较高的激子束缚能130meV,室温稳定化学稳定性高,广泛应用在气敏元件、太阳能电池及电极等材料中,是一种用途十分广泛的特种功能薄膜。为了获得透明度高、发光性能优异以及电阻率小的透明导电光致发光薄膜,本论文以无机金属盐SnCl2·2H2O、SbCl3和CoCl2-6H2O为原料,采用溶胶凝胶法在玻璃基片上分别制备和获得了SnO2多层薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜对这些薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,利用紫外可见分光光
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ZnO是一种新型的宽带隙半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,理论上可以实现室温下受激发射,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。同时ZnO具有良好的透明导电性、压电性、气敏性和压敏性,因此具有广泛应用前景,如声表面波器件、透明电极、紫外光探测器、压电器件、压敏器件和气敏传感器等。自从1997年Tang等人报导了ZnO薄膜的近紫外受激发射现象以来,Z
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ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽带半导体,其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得,较GaN, SiC和其它Ⅱ—Ⅳ族半导体宽禁带材料的制备温度低很多,这些特点使ZnO具备了作为室温短波长光电子材料的必备特征。因此,ZnO薄膜是一种具有希望的短波光电材料,研究ZnO薄膜的发光特性具有十分重要的意义。ZnO作为
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ZnO是一种在蓝光及紫外光电器件领域极有应用前途的直接带隙宽禁带半导体材料。其室温下激子束缚能为60 meV,禁带宽度为3.37 eV,单晶中的电子霍尔迁移率高达200cm2V-1·s-1。ZnO的优良特性使其成为一种制备室温或更高温度下短波长、低阈值、高效率半导体光电器件的理想材料。目前制约着ZnO在LED、LD领域发展的一个关键因素就是稳定、高质量、可重复的p型ZnO的制备还存在着问题。本论文
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炭膜是一种具有分子筛分功能的新型炭基膜材料。与聚合物膜相比,它具有优异的气体渗透性和分离选择性,良好的热、化学稳定性,耐高温、高压并可通过物理或化学的方法对其表面和孔结构进行修饰和改性以满足不同需要。因此,在气体分离、净化及膜反应器等方面,炭膜具有巨大的应用潜力。然而,炭膜本身属均质薄膜,质地较脆、易碎,限制了其产业化应用。把炭薄膜复合在多孔支撑体上制备成复合炭膜,可有效地改善炭膜机械性能,但要制
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膜法富氧技术以其规模灵活、设备简单、安全经济的优点广泛应用于助燃、医疗保健等方面。富氧空气可以促进燃料充分燃烧,从而较大地降低工业生产的能耗,并减少废气的排放,符合我国节能减排的战略思想。为保证富氧助燃需要的氧气浓度达到25.0%~35.0%,富氧膜的氧氮选择性必须达到2.0左右,并具有较高的氧气透量。最常用的富氧膜材料是硅橡胶,它的本征分离系数为2.2左右,并具有远高于其它玻璃态聚合物的氧气透量
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采用低温等离子体技术对高分子膜材料进行改性,是开发新型膜分离材料的重要途径之一。介质阻挡放电(DBD)等离子体技术是一种能够在常压下产生低温等离子体的新兴等离子体技术,具有很好的工业应用前景。本文采用常压DBD接枝填充聚合方法,探索了聚丙烯腈(PAN)超滤膜的表面亲水改性以及制备具有"pore-filling"结构的渗透汽化复合膜的可行性,较为系统地研究了制备参数对膜材料分离性能的影响,并初步探讨
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随着我国大规模的铁路提速改造工程的实施,以及大力发展高速客运专线的需要,无砟轨道开始大量应用。但是普通的板式轨道也产生了一些难以克服的问题,比如刚度太大,易开裂,不易维修养护等,其中之一就是严重的噪声危害。在各种铁路噪声中,轮轨滚动噪声随着列车速度的提高成为主要的噪声源。目前控制轮轨滚动噪声的措施主要是通过改善和优化轨上结构来实现的,而很少考虑轨下基础对噪声的影响。沥青混凝土作为一种良好的材料在高
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