采用自主研制的直流弧光放电等离子体化学气相沉积设备，基于YG6硬质合金基体，分别进行了不同气体、物理工艺参数条件下金刚石薄膜制备工艺优化实验，并采用SEM、洛氏硬度计分别探讨了甲烷浓度、氩气流量、反应压力以及基体冷却水流量等工艺参数对金刚石薄膜表面形貌、晶体形态以及膜基性能的影响；基于精磨YG6硬质合金基体，分别比较研究了交、直流电化学两步腐蚀工艺对基体以及金刚石薄膜沉积的影响，并采用原子吸收光谱仪、表面轮廓仪、SEM等对基体以及金刚石薄膜涂层性能进行了分析，取得了以下认识和成果：（1）随着[CH₄]／[H₂]的增加，直流弧光放电等离子CVD金刚石薄膜的表面形貌呈现从主显（111）晶面→（111）与（100）晶面混杂→主显（100）晶面→菜花状顺序转变的趋势；薄膜表面粗糙度与孔隙呈现近似线性减小趋势；（2）直流弧光放电等离子体CVD金刚石晶体较常见的形态以立方八面体为主，八面体次之，而立方体的金刚石晶体出现的几率较小；随着[CH₄]／[H₂]的增加，金刚石晶粒生长速度呈阶梯状幅度增加，晶粒尺寸逐渐从微米级演变为纳米级；（3）随着[Ar]流量的增加，可以使气相反应过程中的原子氢与碳氢基团粒子浓度增加，而CVD金刚石薄膜的表面形貌的演化规律类似于甲烷浓度；（4）基体冷却水流量及反应压力对CVD金刚石薄膜的形核、生长影响较大，适合直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜沉积的最佳基体冷却水流量为80ml／s，反应压力为30kpa；（5）直、交电化学腐蚀都可以有效的去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC“硬皮”。但是，交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低，腐蚀后基体表面性能结构较差，金刚石薄膜不易在其上形核生长。而直流电化学两步法腐蚀可以有效去除基体中的Co含量并增加基体的表面粗糙度，使王水腐蚀溶液中Co比表面浓度增加了9.37（μg／ml*cm*cm），基体表面Ra从未经处理前的0.12增加到0.56μm，Rz从0.79增到4.22μm，并获得了较高形核密度和膜基性能的精磨YG6金刚石涂层刀具。（6）根据以上研究结果，确定了直流弧光放电等离子体CVD法在YG6硬质合金基体上制备的金刚石薄膜的最佳工艺参数，即：气体工艺参数为[CH₄]／[H₂]=0.9％，[Ar]=600ml／min；物理工艺参数为基底冷却水流量为80ml／s，反应压力为30kpa。同时，所确定的精磨YG6硬质合金基体理想的电化学两步腐蚀工艺为：直流1A腐蚀5min后王水再腐蚀240s。