21世纪以来,随着微型半导体加工、印刷电子以及微电子器件制备等微加工技术的发展,人们对温度传感器的智能化、微型化以及精准化的要求越来越高。传统的负温度系数（NTC）热敏电阻元件大多为圆盘状、杆状和珠状等,其尺寸较大,难以与现代半导体工艺相结合。因此,制备具有体积优势的超薄、超轻的芯片型热敏电阻元件是非常迫切的。本文针对热敏薄片以及薄膜材料的制备与其电学性能开展研究。Mn-Co-Ni-O系材料具有高的稳定性以及优异的热敏特性被广泛应用于NTC热敏电阻元件。本文选取Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄作为制备薄片及薄膜型NTC热敏电阻元件的基础材料。采用流延法制备Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄片,探究了制备热敏薄片的最佳工艺参数,详细分析了不同厚度（120μm、110μm、100μm和90μm）Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄片结构形貌、电学、响应时间等性质。采用射频磁控溅射法制备了厚度为纳米级的Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄膜,探究了多孔硅衬底上Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄膜的最佳生长温度和溅射功率,研究了多孔硅衬底孔隙率（0%、30%和50%）对Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄膜性质的影响,具体研究结果如下:1.采用流延法制备Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄片的最佳工艺参数是:流延浆料中粉体含量为2 g,粘结剂含量为4wt%,有机溶剂含量为2 mL,流延速度为7mm/s。依据此工艺参数制备的Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄片致密度高,薄片平整且厚度均匀。2.通过对比不同厚度（120μm、110μm、100μm和90μm）热敏薄片的结构形貌、电学和响应时间等性质,得到90μm厚度的Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄片晶粒大小均匀,无明显位错,其相结构为与MnCo₂O₄相似的尖晶石结构。薄片厚度由90μm增加到120μm时,?₂₅由127.0Ω·cm增加到449.7Ω·cm,热敏常数B_25/50由3377.9 K增加到3514.2 K。90μm厚度的热敏薄片Mn³⁺/Mn⁴⁺的比率为0.70,120μm厚度的热敏薄片Mn³⁺/Mn⁴⁺的比率为1.02。此外,90μm厚度的热敏薄片响应时间最快,为0.83 s。3.采用射频磁控溅射法在多孔硅衬底上生长Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄膜。探究了热敏薄膜的最佳生长温度为150℃,最佳溅射功率为250 W。在不同孔隙率（0%、30%和50%）多孔硅衬底上制备了高质量Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄热敏薄膜。随着多孔硅衬底孔隙率的增加,薄膜表面晶粒团聚现象更加明显,热敏常数B_25/50相对较高。