【摘 要】
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本文着重研究了表面粗化技术、表面粗化结合增透膜技术和改变电极形状等方法来提高A1GaInP红光LED的光提取效率。改变P型电极形状的研究,通过优化电极形状获得较为均匀分布的
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本文着重研究了表面粗化技术、表面粗化结合增透膜技术和改变电极形状等方法来提高A1GaInP红光LED的光提取效率。改变P型电极形状的研究,通过优化电极形状获得较为均匀分布的电流,以此提高芯片的出光效率和提升产品品质。研究发现,在20mA电流下优化后的回字型电极(20μm)相比于现常用的插指型电极电压下降了2%,光功率增加了19%,亮度(mcd)增加了13%。表面粗化的研究。经过实验证实：使用湿法化学腐蚀的锯齿状小坑深度大约为2.3μm时,器件出光提高最多,达到29%。表面粗糙化对器件的压降几乎没有任何影响。在20mA.下,尺寸为240*240m的表面粗化的红光LED的光强提高了53%。增透膜技术结合粗糙表面的研究。本文试验了在以粗化的表面再分别生长上ITO薄膜和SiOxNy薄膜两种增透膜。考虑到工艺过程的复杂性和稳定性,粗化表面+增透膜的方法未做深入研究。
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