电子型高温超导体Nd<,1.85>Ce<,0.15>CuO<,4-δ>单晶及其微量掺Zn单晶样品的输运性质研究

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本文对同一个电子型高温超导体Nd<,1.85>Ce<,0.15>CuO<,4-δ>单晶样品在同一温度与不同退火时间条件下的ab面(ρ<,ab>)与c方向的电阻率(ρ<,c>)行为以及电阻率各向异性与赝能隙的关系进行了细致深入的研究,并且对未经过任何退火处理的不同掺Zn组分的Nd<,1.85>Ce<,0.15>Cu<,1-y>Zn<,y>O<,4-δ>单晶样品的ab面电阻率、热电势、热导率温度依赖关系曲线进行了测量与分析。 第一章高温超导体的综述部分,简要介绍了高温超导体的历史,分类和相关的理论。其中重点讲述了电子型高温超导体的性质。 第二章具体介绍了Nd<,1.85>Ce<,0.15>CuO<,4-δ>单晶的制备过程。之后挑选出品质高的样品,用一个样品进行同一温度与不同退火时间的退火处理并测量ab面与c方向的电阻率,对测得结果进行详细分析讨论后得出:Nd<,1.85>Ce<,0.15>CuO<,4-δ>单晶的退火前后电阻率行为都可以用双带模型来很好的描述。 第三章本章通过对同一个Nd<,1.85>Ce<,0.15>CuO<,4-δ>单晶样品在不同退火条件下的ρab和ρc的温度依赖曲线的测量与分析,来说明最佳掺杂的NCCO单晶的电荷输运并未受到赝能隙的影响。并且我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释了ρc和(ρc-ρc.0)(ρab-ρab0)的行为,印证了双能带模型。 第四章本章测量与分析了掺Zn量y=0,0.001,0.002与0.004的不同组分的Nd<,1.85>Ce<,0.15>Cu<,1-y>Zn<,y>O<,4-δ>单晶样品的ab面电阻率、热电势、热导率的温度依赖关系曲线。样品中掺Zn后使样品中散射中心数目增多,使样品的电阻率曲线不断增大,热导率曲线突然减小。掺Zn对于样品中热电势的空穴输运有明显的影响,而对热电势中电子的输运没有影响。
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