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信息显示技术和全球通讯市场的飞速发展对高压集成电路的性能提出了更高的要求。作为一种性价比很高的器件,LDMOS在高压集成电路中获得了广泛应用。本论文对LDMOS器件的设计与制造进行了比较完整的研究,然后结合时下流行的课题,探索了LDMOS在高压运放和显示驱动领域的应用本文首先利用TCAD技术,得到了耐压值超过300V、制造工艺与清华大学微电子学所的1μm工艺线完全兼容的N沟道和P沟道LDMOS晶体管。通过调整LDMOS漂移区的长度,还可以灵活地得到不同耐压值的器件。在此基础上,我们探索了LDMOS在高压集成小信号放大领域的应用,设计成功了一个带输出级的二级运算放大器,并完成了其版图和隔离结构的绘制。模拟结果显示该运放可以实现高电压(±150V)、大增益(>80dB)的功能。随后,我们尝试了LDMOS在高低压混合集成电路中的应用。在OLED显示驱动电路中,我们运用了先前设计的LDMOS,由0.35μm沟道长度的高压LD-NMOS和高压LD-PMOS组成高压互补输出级,来做为OLED显示屏的功率驱动部分,从而得到了一种新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路,用于实现OLED显示驱动控制。在EL场致发光驱动电路中,我们设计了DC/AC转换电路,将直流电源的低压(1.5-5.0V)转换成峰-峰值为150-400V的交流高压。该电路的器件部分关键是高压LIGBT器件的设计和制造。在参考LDMOS器件结构与工艺参数的基础上,通过计算机仿真,得到了所需的LIGBT器件的结构和参数,从模拟的结果来看,该器件完全可以承受200V的工作电压,导通电流可以超过150mA,满足了电路的设计要求。由于0.5μm标准CMOS双阱工艺已经非常成熟,在实际生产中也有非常好的运用,在低压CMOS标准工艺中集成高压MOS器件,实现高低压器件的混合集成和工艺兼容,既降低了工艺复杂度,又降低了生产成本,因此有着广泛的市场应用前景。