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4H-SiC肖特基势垒二极管拥有导通电阻低、阻断电压高以及反向恢复特性近乎理想等优点，在电力电子方面应用潜力巨大。本文设计了600V/30A4H-SiC JBS二极管的结构参数，模拟了器件的正反向特性，研究了SiC JBS二极管的单步工艺，在此基础上制定了SiC JBS二极管的工艺流程，设计了600V/30A4H-SiC JBS二极管的光刻版图，为更高指标的4H-SiC JBS二极管的研制奠定了基础。主要结果如下： 1.经优化设计，当外延层厚度为6.5μm，外延层掺杂浓度为1.5×1016cm-3，P区结深为0.5μm，P区掺杂浓度为1.0×1018cm-3，P区横向尺寸为2.0μm，肖特基区域横向尺寸为1.5μm时，元胞耐压大于1000V，通态比电阻仅为3.6mΩ·cm2。 2.升温速率对光刻胶碳化法制备的SiC高温保护膜粘附性质影响较大，当升温速率大于15℃/min时，碳膜容易发生皲裂与脱落，当升温速率控制在15℃/min以内时，碳膜粘附较好，能够在1850℃高温退火工艺中对SiC表面实现良好的保护，满足离子注入高温激活退火工艺的需求。 3.研究了退火温度与退火时间对欧姆电极比接触电阻的影响，当退火温度为1050℃、退火时间为200s时，接触特性最优，经传输线模型测算，比接触电阻最低可达9.72×10-52Ω·cm。