工业发展带来的废气污染问题日益严峻,因此高性能气敏传感器的研发对废气排放的实时监测至关重要。在众多的气敏传感器中,金属氧化物基气敏传感器因诸多优点受到研究者广泛关注。经过多年发展,一元半导体金属氧化物的响应值得到了较大的提升,但选择性差等固有弊端制约其进一步应用。相较于一元金属氧化物,二元金属氧化物具有更加丰富的结构类型和物理化学性质。近来二元金属氧化物半导体在气敏传感器领域受到广泛关注。作为二元金属氧化物的典型代表BiVO4和CuBi204因其特殊的结构已被成功应用于光催化水分解和有机染料降解等领域。材料的气敏性能同样与其表面状态和载流子传输息息相关,因而BiV04和CuBi2O4被认为是潜在的气敏材料。目前关于二者气敏性能的研究尚处于起始阶段,仍存在众多待解决的问题,为此我们围绕这两种材料展开以下研究:(1)采用共沉淀法制备多面体形貌的单斜相BiV04颗粒,发现其在75℃下对H2S气体具有良好的选择性,通过Mo6+掺杂进一步提升其气敏性能。进一步的XRD及XPS表征分析发现,适当的Mo6+掺杂会改变单斜相结构的稳定性,从而增加氧空位的浓度,提升样品表面的活性位点,因而优化了 Mo6+掺杂BiV04颗粒的气敏性能。(2)借助简单的液相激光烧蚀,优化了 BiVO4颗粒的形貌,改变其结晶性,增加氧空位浓度,从而提升了其对H2S气体的响应能力。液相激光烧蚀后的BiV04颗粒形貌由多面体转化为球形,并通过改变激光能量来调控其粒径大小。通过XPS表征发现,100 mJ激光处理后的BiVO4颗粒其氧空位浓度增幅最大,进一步测试也表明其气敏性能最优。(3)采用共沉淀法制备CuBi2O4粉末,并通过改变反应过程中溶剂的比例以及NaOH浓度来调控其形貌和缺陷浓度进而优化其气敏性能。此外,为优化样品的结晶性以及增加氧空位浓度,采用不同能量的532 nm波长激光烧蚀样品,进一步优化样品的结晶性和提升其氧空位浓度。通过XPS表征发现,100 mJ激光烧蚀后的CuBi204其氧空位浓度增幅最大,气敏测试结果表明该样品对乙醇气体的响应明显优于其他样品。