半导体制造用高纯超细碳化硅陶瓷粉体表面改性研究

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SiC因具有抗氧化性强、高温强度大、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度和弹性模量高、抗热震性能好以及耐化学腐蚀等优良特性,近年来成为高技术领域的首选材料之一。在半导体制造领域,许多工程也都在使用SiC陶瓷。作为半导体制造用高性能陶瓷的原料粉体,必须要求SiC微粉具有高纯、超细、分散性好的特性,但经机械粉碎后的SiC粉体,因粒径小,表面能高,很容易发生团聚,形成二次粒子,很难实现超细尺度范围内颗粒之间的均匀分散以及浇注成型工艺中料浆的分散、稳定和悬浮,进而影响陶瓷材料性能的提高。因此
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