【摘 要】
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近年来,稀土(Rare Earth)掺杂化合物半导体由于其在光电领域的应用受到人们极大地关注。稀土元素的4f电子被外部5s25p6电子屏蔽,受到基质晶体场的作用较小f-f跃迁发射呈特征锐线状光谱。其中,稀土Eu~(3+)的5D0-7F2跃迁能够产生610nm左右的红光,成为光电器件中一种重要的发光材料。氧化锌是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV
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近年来,稀土(Rare Earth)掺杂化合物半导体由于其在光电领域的应用受到人们极大地关注。稀土元素的4f电子被外部5s25p6电子屏蔽,受到基质晶体场的作用较小f-f跃迁发射呈特征锐线状光谱。其中,稀土Eu~(3+)的5D0-7F2跃迁能够产生610nm左右的红光,成为光电器件中一种重要的发光材料。氧化锌是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV,比室温热离化能(26meV)大得多,热稳定性和化学稳定性好。ZnO还具有无毒、易刻蚀、价格低
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