电源管理芯片是每部移动电子设备不可或缺的部分,它直接影响着移动电子设备的功耗和待机时间。在设计和制造工艺交互作用下产生的缺陷所造成的漏电流失效是制约电源管理芯片产品良率的主要因素。在芯片能够批量上市之前,它首先必须达到能以可接受的良率(Yield)进行批量制造的水平。但从集成电路设计到工艺制造存在一个良率逐步提升的过程,需要一定的时间。芯片的设计验证完成时间还要再加上这个良率时间才是真正的产品上市时间,因此良率的快速提升成为集成电路芯片设计公司打开市场,获得利润的迫切要求。本文选取一款市面在用的移动电子设备上的电源管理芯片开展漏电流失效分析及良率提升研究。在数据分析方面,抽样出100片晶圆,对它的漏电流针测(Chip Probe, CP)并对采样数据采用累积叠加分布的方式制作分布图。在电性分析方面,采用4156C(精密半导体参数分析仪)测量I-V曲线,采用红外发光显微镜(Emission Microscopy, EMMI)和激光诱导电阻率变化测试仪(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)定位缺陷位置。然后用原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)和纳米探针系统(NanoProbe)分析失效模式。在物理分析方面,采用物理剥层、聚焦离子束显微镜(Focused Ion Beam, FIB)、扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、缺陷化学成分分析和电压衬度(Voltage Contrast, VC)定位技术来建立失效模型。通过研究,找到了该芯片的失效根源,配合生产线研究失效的产生机理,找出了良率提升的办法。