随着电力电子技术发展，开关电源作为一种高效率的电能变换装置广泛应用于各行各业。为了抑制开关电源产生的电磁干扰，各国均制定了相关的电磁兼容标准。电磁兼容测试耗时长，成本高，极大地影响了产品上市速度。本文通过建模仿真的方法来快速预测开关电源传导EMI，提供一种简单快速经济有效的传导EMI预测方法，以节省电磁兼容测试整改时间，加快产品上市速度。首先依据国家标准建立传导EMI测试平台，实测了一小功率反激开关电源传导EMI。结合反激开关电源电路结构，分析传导EMI实测结果，阐明传导EMI各个频段的噪声来源。指出功率MOSFET开关过程中的两个振荡是主要共模噪声源，次级功率二极管是高频段内主要差模噪声源，开关频率是低频段内主要差模噪声源。针对不同噪声源，分析了其产生机理、耦合路径及其对传导EMI测试结果的影响。其次，通过分析器件机理建立反激开关电源传导EMI模型，包括变压器高频模型，功率MOSFET模型，功率二极管模型以及PCB高频模型等。在变压器高频模型中，详细考虑了变压器寄生参数对传导EMI的影响。针对传统短路法测量漏感结果，提出了修正公式。讨论了绕组分布电容、绕组对屏蔽层电容对传导EMI的影响，提出了绕组分布电容、绕组对屏蔽层电容的计算公式，并通过实验和仿真验证了计算公式的正确性。使用Q3D软件采用有限元法和矩量法的思想提取PCB高频寄生参数。搭建反激开关电源时域电路模型，利用SABER仿真软件进行时域仿真，通过对噪声电压进行FFT变换，获得传导EMI仿真结果。最后，本文利用FSV方法评估了反激开关电源传导EMI仿真结果的有效性，验证了变压器高频模型、功率MOSFET模型的准确性，表明时域建模仿真的方法能够达到快速预测传导EMI的目的。