氧化锌（ZnO）作为一种传统的金属氧化物半导体材料,在发光二极管、光催化剂、光探测器及传感器等领域展现出了巨大的应用潜力。在ZnO多种形态的纳米结构中,一维（1D）结构具有直接用于制造器件的潜力,其独特的形态为载流子的输送提供了高效的平台,对于电子和光电设备来说非常有利。研究ZnO在光的作用下载流子的产生与复合的基本过程是改善和提高器件性能的基础。本文选择水热法制备的ZnO纳米棒阵列膜作为研究对象,通过在ZnO纳米棒表面修饰不同含量的Ag纳米颗粒及调控ZnO纳米棒直径的方法,系统地调控ZnO在光电响应和弛豫过程中可能存在的内禀和外禀的影响因素。随后表征ZnO基纳米棒阵列膜在波长为365 nm的UV光激发下的时域光电导谱,并研究了ZnO光电响应和弛豫特性与材料结构之间的联系。首先,通过浸渍提拉法在ZnO纳米棒表面修饰不同含量的Ag纳米颗粒,研究了表面修饰Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜光电响应和弛豫过程的影响。结果表明ZnO表面引入Ag纳米颗粒后,暗电导值会大幅度降低,Ag浓度越高,暗电导值越小。即使光电导值较纯ZnO有所降低,Ag/ZnO光电响应阶段响应度有较大提升,最大光响应度值较纯ZnO增加了近50倍。而且,Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜弛豫阶段呈现的持续光电导（PPC）效应有很好的调控作用。运用能带理论解释Ag纳米颗粒的作用机理:由于Ag的费米能级位于ZnO的禁带中,卸光后ZnO上没有被消耗的电子会不停地从ZnO往Ag转移,直至金属/半导体之间再次形成一个统一的费米能级,这个由于电势差带来的电子转移过程非常快,削弱了ZnO纳米棒阵列膜的PPC效应。Ag浓度越大,形成了更多的Ag-ZnO接触点,电子转移过程有更多的通道,PPC效应越不明显。之后,基于ZnO纳米棒阵列膜存在的显著的PPC效应,从光生载流子储存的角度展开进一步的研究。在表面修饰Ag纳米颗粒的前提下,改变ZnO纳米棒的直径,发现ZnO纳米棒阵列膜的PPC效应展现出了一定的可控性。ZnO纳米棒直径越大,对应的PPC效应越显著。而且,表面修饰Ag纳米颗粒和调控ZnO纳米棒直径对PPC效应的调控可以同时起作用。最后,以UV光激发下的多周期循环光电导谱为基础,对ZnO基纳米棒阵列膜光生载流子的存储进行了定量化的表征。将关闭激发光源后载流子的存储看做缺陷对载流子的捕获过程,不同直径及Ag浓度修饰下的ZnO纳米棒缺陷的状况都不相同,体现在光电导谱上就是光生载流子存储能力存在差异,对光生载流子存储的定量化表征为ZnO缺陷的定量化表述提供了新思路。