氧化钼作为一种具有层状结构的n型半导体金属氧化物,近年来在气体传感领域备受关注。然而,工作温度高、检出限不理想、选择性和稳定性差等问题限制了氧化钼在气体传感器领域中的实际应用,在其制备方法和气敏机理等方面仍有大量的探索性工作要做。因此,本文设计合成出多级结构花状α-MoO₃、富缺陷多孔的α-MoO₃纳米片和Ag/α-MoO₃纳米带三种材料。将上述合成的氧化钼纳米材料应用于气体传感器研究,可用于检测三甲胺和硫化氢等有毒有害气体,并设计实验对敏感机理做了详细的研究。本文内容分为以下三个部分:（1）以乙酰丙酮钼为钼源,乙腈为溶剂,通过溶剂热法合成多级结构花状α-MoO₃纳米材料,然后在450℃下煅烧得到最终产物。将该材料组装成气敏传感器,材料在170℃的工作温度下对有机胺类（MMA、DMA、TMA）的气体的气敏性能最佳,对MMA、DMA、TMA的检测限分别为3 ppm、1 ppm、0.1 ppm,表明氧化钼基传感器对有机胺类的气体有较好响应,且都有较好的线性关系。（2）以钼酸铵烧500℃后得到的MoO₃为钼源,甲醇为溶剂,通过简单的一步溶剂热法合成多孔的α-MoO₃超薄纳米片。当焙烧温度为400℃时,该材料组装成的气体传感器对TMA的气敏性能最佳,在低温133℃下可检测到20 ppb的三甲胺气体且灵敏度达到1.21,通过设计实验、GC-MS表征,并结合DFT理论计算创新性的提出了新的敏感机理。（3）以钼酸铵烧500℃后得到的MoO₃为钼源,水为溶剂,通过一步水热法合成α-MoO₃纳米带,再通过光还原的方法复合5wt%Ag形成Ag/α-MoO₃的复合物,气敏测试表明,Ag的复合显著提高了材料对H₂S气体的选择性。在较低温度133℃条件下可检测到100 ppb H₂S气体。传感器对100 ppm H₂S的响应值时间为8秒,具有较好的长期稳定性。此外,通过IR、XRD、XPS表征手段对吸附H₂S后的敏感材料进行分析并探讨了其对H₂S的敏感机理。