本论文通过改进的溶胶—凝胶法成功地合成了具有多种Eu3+离子发光中心的体相掺杂ZnO纳米晶。Eu3+: ZnO纳米晶的热处理温度是实现Eu3+离子体相掺杂的关键因素。　　 借助10K下的位置选择荧光光谱，至少两种Eu3+离子发光中心可以得到很好地分辨。具有C。或Cl对称性位于晶格中的Eu3+离子呈现尖锐的发射、激发峰以及较长的SDo荧光寿命；而在表面的Eu3+离子处在类似于玻璃态的晶场环境中呈现较宽的发射、激发峰以及短的5Do荧光寿命。另外，不同位置Eu3+离子的能级也从实验上得到很好的指认，即对表面的Eu3+离子有12个能级，对晶格中的Eu3+离子有25个能级可以准确指认。　　 晶格中的Eu3+离子荧光动力学与表面的Eu3+离子存在很大差异。由于Eu3+:ZnO纳米晶拥有较小的填充因子，无论在表面还是在晶格中，Eu3+离子的5Do荧光寿命都受到周围介质的显著影响，其折射率越大，Eu3+离子的5Do荧光寿命就越小。　　 应用Krupke提出的方法，Eu3+离子的Judd-Ofelt强度参数可以从实验上得到确定。位于表面的Eu3+离子Judd-Ofelt强度参数Ω2，4，6分别为9.59，8.11，<0.25(10-20cm2)；进入晶格中的Eu3+离子Judd-Ofelt强度参数Ω2，4，6分别为21.51，2.30，<0.25(10-20 cm2)。　　 根据带隙激发的Eu3+离子荧光光谱，提出了ZnO纳米晶到Eu3+离子的能量传递机理。ZnO纳米晶到Eu3+离子的能量传递主要以缺陷为媒介在带隙和Eu3+离子的5Do能级之间发生。与此同时，也对Eu3+离子体相掺杂半导体纳米晶的生长机理进行了探讨。　　 Eu3+:ZnO纳米发光材料的光电子学性能的深入研究，特别是基质到Eu3+离子的能量传递，对Eu3+: ZnO纳米发光材料的应用(如电致发光薄膜)有着重要的意义。类似的合成和分析方法也可以应用到其它稀土离子掺杂的半导体纳米材料。