牺牲Ni退火实验由南昌大学江风益教授课题组在研制GaN基蓝色发光二极管（该成果获2015年国家技术发明一等奖）时提出,该实验解决了长久以来无法同时获得高反射和低阻挡的Ag基欧姆接触的矛盾。本文工作旨在从理论上进一步解释这一重要的实验现象,本文采用密度泛函理论的第一性原理赝势方法发现界面缺陷可以降低Ag（111）/GaN（0001）界面的势垒高度,从电子和原子层面上揭示了缺陷调制界面欧姆接触的机理,并进一步提出了一种低阻高稳定的欧姆接触实验设计方案。归纳起来主要有:利用第一性原理赝势方法,建立了和实验高度一致的Ag（111）/GaN（0001）金属半导体界面模型,并运用宏观平均静电势法对其势垒高度进行了计算。计算结果为完整界面的势垒高度是2.221 eV,这和在Ag/p-GaN界面用I-V-T方法测量值1.9 eV吻合;含Ga空位界面为2.067 eV;含Ni杂质界面为0.857 eV;同时含Ni杂质和Ga空位界面为0.375 eV。计算发现缺陷可以调制界面肖特基势垒高度,该结论和牺牲Ni退火实验吻合。利用第一性原理赝势方法,分析了完整和缺陷Ag（111）/GaN（0001）界面的电子结构,计算发现缺陷界面区域有明显电子的集聚,并且界面的费米能级处于未钉扎状态。基于界面组成对肖特基势垒高度影响的机理,进一步研究了常用的p型电极金属（Al、Cu、Au、Pt、Pd、Ti）掺杂到Ag（111）/GaN（0001）界面的势垒高度。结果发现Cu_Ag界面表现出和Ni_Ag界面相同的让势垒高度降低的性质。我们创新地提出了牺牲Cu退火实验方案,为实验上实现高质量的Ag基欧姆接触提供了设计思路和理论依据。