射频集成电路(RFIC)是无线通信领域中不可缺少的关键电路，是无线通信的主要瓶颈。近年来，随着无线通信系统的容量和速率的提升，系统对RFIC的性能提出了更高的要求，同时为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求，用CMOS工艺实现单片集成的RFIC正逐渐成为人们研究的一个热点，这篇论文主要研究了位于射频发射机末端的功率放大器，虽然目前射频收发系统中的很多模块都可以集成为片上系统，但实现功率放大器的集成仍然是一个难点，所以成为国际研究的一个热点。本文介绍了一个工作于2.4GHz的功率放大器，基于SMIC 0.18μm工艺的基础上，文中给出了相应的仿真结果及版图，电路采用了两级放大结构，该文介绍了基于SMIC 0.18μmCMOS工艺工作于2.4GHz功率放大器的设计方法，并给出了仿真结果。电路采用两级放大的结构，驱动级采用自偏置Cascode结构，为了保证驱动级有足够的线性度，偏置电压采用了自适应结构，使偏置电压随着输入功率的不同而变化，保证了放大器的线性度并提高了功率附加效率，功率级采用共源结构以达到较大的输出功率。仿真结果显示，在2.4GHz频率下，放大器功率增益为25dB，输出1dB压缩点约为22dBm，功率附加效率为37%。其次，基于TSMC 0.18μm工艺的基础上设计了一个差分结构的功率放大器，主要是用于ETC设备中，文中给出了仿真结果及相应的版图设计和后仿结果。