Fe-Ga合金由于具有高强度、良好韧性、低场高磁致伸缩性能和低成本等优异特性,近年来成为新型巨磁致伸缩材料受到广泛关注。Fe-Ga合金的磁致伸缩性能具有明显的各向异性,并需要加工成薄片状以降低高频使用产生的严重涡流损耗。因此,通过添加抑制剂抑制初次晶粒长大并获得二次再结晶Goss晶粒,是提升Fe-Ga合金磁致伸缩的主要手段。目前Fe-Ga合金薄带主要采用微米尺寸的NbC析出相作为抑制剂钉扎初次晶粒长大,借助表面能的作用诱导二次再结晶Goss晶粒。但是针对现行微米尺寸抑制剂钉扎力缺陷,需要引入额外的驱动力促进Fe-Ga合金的二次再结晶。因此,需调控抑制剂特征演变,获得对Goss晶粒有效钉扎和择优失效,以便获得可简单高效的二次再结晶Fe-Ga合金薄带的制备方法。本研究通过构建复合抑制剂体系,制备出具有完善二次再结晶Goss织构特征的Fe-Ga合金薄带。结合宏/微观微结构、第二相颗粒与织构表征方法,揭示轧制与退火过程中组织、织构与抑制剂特征的演变规律,阐明二次再结晶织构的形成与发展机制,主要创新点与结论如下:（1）基于固有复合抑制剂体系（MnS+Cu2S）的构建,通过成分设计、轧制与退火工艺流程调控,在二次冷轧Fe-Ga合金薄带中获得纳米尺寸析出相,在初次再结晶与慢升温初期有效钉扎初次晶粒长大,并在慢升温过程中促进二次晶核形成与长大,最终获得具有二次再结晶Goss织构和优良磁致伸缩性能。（2）二次冷轧板形成的强γ织构,有利于初次再结晶强{111}<112>织构的形成,初次再结晶高分数的细小{111}<112>晶粒为Goss晶粒的异常长大提供组织与织构基础。基于析出相尺寸和分数的临界晶粒计算表明,在低于950℃时较小的Rm/和较窄的晶粒尺寸分布有利于抑制初次晶粒长大,而升温至1000℃过程中,Goss借助特殊位向关系优先脱钉长大导致晶粒尺寸分布的宽化,促进二次再结晶的进行。（3）基于固有抑制剂（MnS+Cu2S）和后天渗氮抑制剂（NbN）,通过热轧、常化和后期渗氮工艺保证纳米抑制剂的析出,抑制初次晶粒长大促进二次晶核形成,获得具有近厘米尺寸的Goss晶粒和优良磁致伸缩性能的Fe-Ga合金薄带。（4）本研究提出通过抑制剂体系的选择和轧制退火工艺的调控,制备具有二次再结晶Goss织构特征的Fe-Ga合金薄带的简单高效制备方法,未来需通过轧制与退火工艺参数的优化,进一步提高Fe-Ga合金薄带的磁致伸缩性能。