低温下铜氧化物超导体微结构的正电子湮没研究

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本文测量了YBa_2Cu_(3-x)M_xO_7和Bi_(1.6)Pb_(0.8)Sr_2Ca_2Cu_(3-x)M_xO_y系超导体分别掺Ga和掺Zn后的符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱,掺Zn和掺Ga的Bi系超导体在降温(温度从295K-30K)过程中的正电子寿命谱,实验结果表明:在YBa_2Cu_(3-x)Zn_xO_7系样品中,Zn原子优先占据CuO_2平面上的Cu(2)位,随着Zn掺入量的增多,正电子与3d电子湮没的概率增加,W参数升高。在YBa_2Cu_(3-x)
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