电子封装正朝着微型化,多功能化发展。封装中凸点尺寸要求的增加使得电镀制备凸点时容易出现孔洞,裂纹等缺陷,甚至无法镀满凸点的情况。凸点的周围是光刻胶,这是一种在微电子封装中的重要材料。高深宽比,具有精密间距微孔的出现对光刻胶的镀覆性能等要求也随之而增加。光刻胶作为电子领域精细化加工的重要材料,对于封装技术的进一步提高有着很大的影响。本文主要尝试不同工艺参数下的氧等离子体处理对光刻胶表面润湿性影响来寻找最优的工艺条件,该方法具有工艺简单可行性高,在工艺生产中可以大规模应用,性能改善明显且容易控制等优点。本文通过不同的检测手段来测试光刻胶表面的接触角,表面结构及成分变化,探究其经处理后的润湿性发生改变的机理;同时进行时效处理分析,对经处理后的光刻胶的润湿性能变化规律进行研究。通过实验可知采用氧等离子体处理能够很好地改善光刻胶表面润湿性能,其中在不同功率的氧等离子体处理下润湿性能得到了不同程度的提升。处理后光刻胶表面的结构发生了变化,表面尖锐凸起变得平滑减小了气垫效应,与渡液的有效接触面积增加,表面粗糙度也有一定程度的增加;处理后光刻胶表面的成分也随着工艺参数变化而改变,光刻胶表面引入了更多亲水基团,这有助于润湿性能的提升。综合光刻胶表面的形貌结构与粗糙度变化以及表面成分的变化,使得经过处理后的光刻胶表面的润湿性得到了较大的改善提升。为了进一步探究处理后润湿性的效果,本文还对经过氧等离子体的特定处理以后的光刻胶表面做了时效处理。实验发现光刻胶的润湿性会伴随放置时间的延长而逐渐降低。光刻胶表面的微观凸起结构随着时间的增加重新变得尖锐,粗糙度也逐步回复;表面的亲水基团也随着时间的增加逐渐降低至原始状态。结构和成分的回复都导致了润湿性能的重新降低。这些处理工艺的研究以及处理后的时效实验都对电子领域中光刻胶的实际应用具有重要的指导意义。