实现半导体光子集成(PIC)和光电子集成(OEIC)的关键问题是工艺上如何采用简单可靠的方法,在同一衬底上制成具有不同禁带宽度的光电子器件.量子阱混合技术以其能简单有效地改变量子阱材料的带隙成为人们研究的热点.量子阱混合技术主要包括以下几种方法:杂质诱导扩散(IID),离子注入诱导无序(IICD),光吸收诱导无序(PAID)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD). 该论文用量子阱混合技术中的离子注入诱导无序和无杂质空位扩散方法,研究了InGaAsP/InP多量子阱结构材料的带隙蓝移.在无杂质空位扩散方法中,用PECVD沉积SiOP结构的电介质薄膜作为诱导量子阱混合的盖层,在850℃,7s的条件下快速热退火.光荧光谱(PL)测试表明:该膜能引起很强的量子阱混合效果,沉积此膜后退火的样品比原始样品的发射波长蓝移了341nm,带隙能量增宽了224 meV.并用红外光谱和XPS谱确定了膜的结构,分析其增强量子阱混合的原因.用离子注入诱导的方法在样品中注入与量子阱组成元素相关的P离子,经750℃,60s的快速热退火后,用光荧光谱测量,得出的结论是:磷离子注入诱导方法引起量子阱混合的效果明显,同时存在带隙蓝移随注入能量的增加而变大的规律.对于180keV的注入能量,10<13>量级的注入剂量,带隙蓝移随注入剂量的增加而减少.另外,我们用SiO<,2>膜作为掩膜层,通过不同厚度的SiO<,2>膜对样品进行P+注入,在同样条件下快速热退火.发现蓝移量随SiO<,2>膜厚度的增加而减少,而且变化较为明显,可用于实现横向区域的选择性量子阱混合.首次使用光荧光谱扫描(PL Mapping)的检测方法,对用无杂质空位扩散实现选择性量子阱混合后的InGaAsP/InP样品进行研究.结果显示,整个样品的PL峰值横向出现了可分辨的区域,有SiO<,2>膜覆盖下区域蓝移明显比无SiO<,2>膜覆盖下区域蓝移要大(相差近30nm).有SiO<,2>膜覆盖区域样品的光强和半高宽与原始样品比较基本没有变化,说明样品用IFVD方法实现量子阱混合后较好的保持了光学品质.