随着科技的发展和智能电子产品的广泛应用,整个社会对透明导电材料的需求不断增长。,最具代表性的透明导电材料铟锡氧化物(ITO),虽成功应用在光电子器件中达数十年之久,并占有90%以上的透明导电材料的市场份额。但由于铟矿物的储量少,ITO材料的制备过程费用大,导致成本居高不下。而且ITO材料具有质脆,缺乏柔韧性的特点,也限制了它的应用。所以,ITO透明导电材料被新型材料替代必定是今后的发展方向。在众多取代ITO材料的后选中,金属纳米线材料显示了优异的性质。金属纳米线不仅可以使用廉价并可扩大规模的溶液合成法,而且在透明导电膜上表现与ITO相当。除此之外,金属纳米线薄膜完全可以实现柔性并且可防刮划。所以,金属纳米线是现今最有可能取代ITO的材料,而且金属纳米线材料与大部分使用ITO的器件装置相兼容。本文主要研究了贵金属银纳米线的可控制备及其在透明导电膜中的性能,具体内容如下：1.介绍了贵金属纳米材料和一维纳米材料的特殊性质和应用,并突出了一维金属纳米材料在透明导电材料中的表现。从金属一维纳米材料结构与性质的关系、合成方法、生长机理、制膜过程和后处理等方面进行了调研总结。2.应用液相多元醇法,可控合成出了高长径比均一的银纳米线。并着重讨论了表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)在反应过程中的重要作用,提出并解释了反应中的生长机理。3.应用旋涂法制备了基于银纳米线的透明导电膜,并测试了薄膜的光学和电学性能,研究了不同银纳米线性能表现不同的原因。