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本文采用微波介电谱技术，并结合热释光谱、发光时间分辨谱、发光光谱技术，以ZnS/ZnO半导体为研究对象，研究探讨了材料本征缺陷、杂质缺陷所产生的电子陷阱能级特性及其对光电子瞬态过程的作用机理，根据实验结果模拟计算了材料的发光过程。 通过改变制备工艺条件或者不同杂质掺杂，获得了具有不同电子陷阱能级的材料，研究结果证实了对于ZnS/ZnO材料，在浅电子陷阱密度较低时，导带光电子衰减分为快慢两个过程，而在浅电子陷阱密度较高时，导带光电子呈指数规律衰减，浅电子陷阱密度是影响导带光电子瞬态寿命的主要因素。 通过研究光电子过程和热释光谱特性，弄清了ZnS发光材料中常用激活剂Mn2+、Cu+以及共激活剂Br-和I-的作用机制，即在ZnS材料中，Br-和I-形成浅电子陷阱能级，延长导带电子寿命;Mn2+作为发光中心，可以减弱浅电子陷阱对光电子的束缚作用，降低光生电子寿命;Cu+作为发光中心，一是自身起发光中心作用，降低光电子寿命，另外在Cu含量较低时，对Br-、I-离子起电荷补偿作用，提高Br-、I-进入品格的浓度，从而提高浅电子陷阱密度，延长导带光电子寿命;根据ZnS材料导带光电子衰减指数过程及寿命，计算了电致发光材料ZnS:Cu.Br,I、ZnS∶Br、ZnS∶I的发光动力学过程，与实验结果实现了较好拟合，并建立了新的发光动力学模型。 研究了ZnO晶体的合成及杂质掺杂，得到了高质量ZnO晶体和具有低温铁磁性Zn1-xMnxO稀磁半导体单晶（居里温度为50K）;实验证实了ZnO本征缺陷所产生的两种电子陷阱能级，获得了其热释光谱（低温峰约为-150℃，高温峰约为50～60℃）;实验证实ZnO∶Zn材料导带光电子的衰减为指数过程，其光生电子衰减和荧光衰减的时间过程基本一致。据此模拟计算了其可见光发光过程，与实验结果实现了较好拟合，从而证实了ZnO∶Zn材料可见光发射来源于部分导带电子和发光中心的复合，并建立了新的发光动力学模型。