硅基氮化镓材料外延生长的第一性原理研究

来源 :上海师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tingyu263

【摘要】

：

GaN材料[1]被誉为继硅材料后第二重要的半导体材料,已经广泛使用在发光二极管、场效应管等半导体器件上[2]。GaN作为直接能隙的宽禁带半导体[3],具有非常大的优势。由于GaN没有同质衬底,它需要异质结外延生长在蓝宝石(Al_20_3)或者碳化硅(SiC)上[4]。但是蓝宝石导热性能差,SiC制造成本较高。因此价格便宜,导电导热性能好、工业生产配套齐全的Si成了最有希望的衬底选择[5]。由于Si

【作者】

：

张恒

【出处】

：

上海师范大学

【发表日期】

：

2019年08期

【关键词】

：

GaN Al、Ga、In、N 密度泛函理论第一性原理计算吸附扩散能差分电荷密度电子态密度

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