电容器是组成电子电路的主要元件,它可以储存电能,具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。其中,铝电解电容器以容量大、体积小、重量轻、价格低廉以及具有一定的自愈作用而著称,被广泛用于各种电子电路中。由于大容量铝电解电容器无法采用半导体工艺实现,其体积已经严重地制约了电子整机系统的小型化进程,因此对铝电解电容器小型化、稳定性、高性能化、低成本的要求也越来越迫切。高比容铝电极箔制造技术是实现铝电解电容器小型化的关键技术,阳极箔是制造铝电解电容器的关键原材料,其表面阳极氧化膜的性能极大地决定了铝电解电容器的体积与应用。本论文从提高高压阳极箔介质氧化膜介电常数的角度出发,结合国内外高介电常数复合氧化膜的发展状况,提出了采用溶胶一凝胶法（Sol-gel法）制备高介电常数复合氧化膜技术。详细研究了制备过程中各工艺参数对高压阳极箔比容提高率的影响,通过相关的实验结果及分析,得到了相应的工艺参数,大幅度提高了国产高压阳极铝箔比容水平,取得了以下的主要结论：1、本部分研究了引入阀金属氧化物TiO₂的高介电常数复合阳极氧化膜技术,采用溶胶-凝胶法（Sol-gel法）制备TiO2-Al2O3高介电相复合氧化膜的技术。主要结论如下：（1）通过大量的探索性试验和优化,本实验开发了可以长期稳定保存的、利于高压阳极腐蚀箔涂覆的TiO₂溶胶,其配方组成是（体积比）：V_冰醋酸)：V_{（二乙醇胺）}：V_（水）：V_{（钛酸四丁酯）}：V_{（无水乙醇）}=1：1：1：2：15。（2）通过正交试验分析和多次试验优化,得出最佳的一组制备TiO2-Al2O3高介电相复合氧化膜的溶胶-凝胶法（Sol-gel法）工艺参数：10%（体积比）钛酸四丁酯浓度,浸渍时间15s,煅烧温度500℃,保温时间30min。将国产某高压阳极铝箔腐蚀后,采用浸渍-提拉法在高介电常数物质TiO₂溶胶中浸渍,按照优化出的工艺参数处理,其比容增长率达36.95%。（3）按照优化出的工艺参数处理高压阳极铝箔,在相同的环境下测试其耐蚀性,腐蚀电位正向移动了0.4035V,腐蚀电流密度降低了98.87%,耐蚀性有很大的提高。（4）按照TiO₂溶胶配方制备的溶胶,经陈化缩聚,在500℃保温一段时间,得到白色的粉末,通过XRD分析,确定制取的白色粉末是锐钛矿型TiO₂。2、本部分研究分析了高介电常数SiO2-Al2O3复合氧化膜对高压阳极腐蚀箔比容影响的工艺技术,从H2O/TEOS.浸涂时间、煅烧温度和保温时间四个因素分析复合氧化膜的影响,得出下面的主要结论：（1）本工艺优化出的最佳参数是：H2O/TEOS=20,浸渍时间10s,煅烧温度150℃,保温时间3h。（2）根据大量试验探索,制备出可以保存2个月以上的稳定透明Si02溶胶,配方如下：TEOS:H2O=1:4, C2H5OH:H2O=1:3, HC1:PEG600:TEOS=1:4:15,（3）根据此工艺,在高压阳极腐蚀箔表面制备高介电常数氧化物,腐蚀箔比电容量提高72.34%,比TiO₂的效果更显著,这是由于硅酸铝结构的物质介电常数更高的缘故。（4）通过溶胶一凝胶法（Sol-gel法）制备高介电常数复合氧化膜SiO2-Al2O3,该技术实现成本低,易与腐蚀一化成线实现联动生产,具有较好的应用前景。