本研究以包覆沉淀结合高温煅烧法合成了SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺,以此为基础,着重考察了不同掺硼量的系列试样在其合成过程中的化学物理变化及其光致发光性能,并讨论了助熔剂硼酸对其合成过程和发光性能的影响和作用机理。实验完成了SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺的包覆沉淀制备工艺的整合并阐明了硼掺杂对SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺的重要作用。以Al（OH）3悬浮液为成核基体,草酸为沉淀剂,用氨水调节反应pH=7,反应温度40⁴5℃,将Sr2+、Eu3+和Dy3+均匀地沉淀在Al（OH）3基体上,经陈化,抽滤,洗涤,干燥并过筛,所得前驱体在活性碳营造的弱还原气氛中经1200℃煅烧,即可获得具有超长余辉特性的光致发光材料SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺。用ICP分析测试了包覆反应的反应率,TG-DSC结合XRD分析考察了前驱体在煅烧过程中的物理化学变化,在SEM下观察了粉体制备各个阶段的微观形貌,最后测试了发光粉体的激发和发射光谱,并绘制了余辉衰减曲线对其发光性能进行了表征。结果表明,包覆沉淀法混料制备SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺发光粉体有较高的产率,煅烧温度与高温固相法相比降低约200℃,产物具有较好的发光性能。硼掺杂对SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺发光体合成的影响主要体现在促进烧结方面:掺硼前驱体煅烧过程中,硼在450℃以上形成熔融氧化硼,为Sr,Al等组分提供液相传质介质,从而加速单斜SrAl2O4晶相的合成。其中大部分硼并不进入SrAl2O4晶格,冷却后,在体系中形成玻璃相;只有少量硼以硼氧四面体[AlO4]的形式固溶进入晶格,通过影响发光中心和Dy陷阱,影响SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺的余辉性能,此外,进入晶格的硼还可能单独形成能量陷阱,起到储存能量,延长余辉的作用。适量地在SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺的合成过程中添加硼酸,首先可以有效地降低体系的煅烧温度,幅度约100℃。此外,以掺硼10%的试样为例,试样的10s余辉亮度提高约2倍,30min余辉亮度提高1个数量级;可测余辉时间延长2h。随着硼掺杂含量地提高,发光粉体的余辉性能有逐渐提高的趋势;同时粉体的粘结也更趋严重,玻璃相覆盖在颗粒表面,严重降低了发光体的分散性能这给发光体在精细涂料以及纤维染料等方面的应用造成了一定的负面影响;此外,材料的发射带随着硼酸含量的增加而出现蓝移。