【摘 要】
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本论文首次提出了一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection)进行编程操作的新型快闪存储器技术和一种PMOS选择分
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本论文首次提出了一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection)进行编程操作的新型快闪存储器技术和一种PMOS选择分裂位线NOR(PMOS Selected Divided Bit-Line NOR)快闪存贮阵列结构。通过对单元结构、操作模式、编程特性、读取特性、集成工艺和可靠性等方面的研究，确定了存储器在各种操作模式下的优化工作条件。论文同时还提出一种新型的自收敛SIBE软编程操作模式，对过擦除存储单元的阈值电压分布具有很好的收敛效果。相关研究表明该快闪存储器技术具有低编程电压、低编程功耗、高编程速度、高访问速度、高可靠性、自收敛性和易于缩小的优点，在低压低功耗快闪存储器产品中有着广阔的应用前景。
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