光伏发电是满足能源需求并应对气候危机的一种可行方案。光伏发电的进一步发展需要研制高效率低成本太阳电池。硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池因其成本低廉、制备工艺简单和效率极限高等优点引起了关注和研究。在普通硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池中,硅背表面与银电极接触形成的肖特基势垒将导致高接触电阻从而阻碍电荷传输并限制电池效率。形成欧姆接触可以改善电荷传输,但制备氧化锡基电子选择接触来促进光生载流子的分离并消除肖特基势垒可能是一种更好的方法。本文旨在研究氧化锡基电子选择接触的应用对硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池性能的影响。本文主要进行了 3项研究。首先,优化了硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池的制备工艺,包括PEDOT:PSS改性、硅片减薄和硅片制绒。其次,研究了制备氧化锡电子选择接触对太阳电池性能的影响。无氧化锡太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和效率分别为517mV、28.0mA/cm2、64.5%和9.31%。氧化锡电子选择接触无法高效钝化硅表面悬挂键,但促进了光生载流子的分离并降低了接触电阻。氧化锡电子选择接触的制备将硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和效率分别提升到了 544mV、28.3mA/cm2、65.8%和10.13%。最后,研究了氧化锡电子选择接触的改性对太阳电池性能的影响。在氧化锡中掺杂乙二胺四乙酸(EDTA)提高了氧化锡的费米能级。EDTA-氧化锡电子选择接触具有更好的电子抽取能力并进一步降低了接触电阻。将EDTA-氧化锡和氧化硅钝化层结合制备了复合电子选择接触。复合电子选择接触增加了接触电阻但降低了载流子复合速率,更均匀的EDTA-氧化锡分布也促进了光生载流子的分离。氧化锡电子选择接触的改性将硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和效率分别提高到了 562mV、28.8mA/cm2、71.2%和11.52%。研究结果指出氧化锡基电子选择接触的应用能显著提高硅/PEDOT:PSS杂化太阳电池的开路电压、填充因子和效率,但对短路电流密度影响较小。