氧化物薄膜晶体管（TFT）因其具有较高的载流子迁移率和良好的电学均一性,有望代替硅基TFT成为下一代显示背板技术。但是目前商用型的氧化物TFT仍然存在着生产成本较高和稳定性较差等缺点。为了降低成本,且制备出高迁移率和良好稳定性的高性能TFT器件,本文以基于溶液加工制备的掺杂氧化铟锌（IZO）作为半导体层,研究了基于溶液法和燃烧合成法制备具有背沟道刻蚀结构（BCE）的氧化铟锡锌（ITZO）TFT的性能,以及溶液法制备Ln系稀土掺杂IZO半导体层对器件稳定性的影响。具体工作如下:（1）实现BCE结构的TFT能够降低生产成本,而且BCE结构能够实现小型精细化器件,有利于高分辨率显示。本文通过溶液法制备ITZO薄膜,研究不同退火温度下不同的In/Zn/Sn比例对有源刻蚀工艺和S/D刻蚀工艺中的刻蚀特性,研究发现当In:Zn:Sn=1:1:2时,能够实现BCE结构,并成功的制备出具有BCE结构的ITZO薄膜晶体管。为了在低温下制备高迁移率的TFT器件,采用燃烧合成法成功制备出高迁移率的ITZO TFT,迁移率达到了8.12 cm²V^-1s^-1,与传统溶液法相比,器件迁移率提高了6倍以上,且具有良好的电流开关比（4.5×10⁷）,较低的开启电压（1.61 V）和较小的亚阈值摆幅(0.21 V dec^-1)。通过对ITZO TFT不同沟道长度性能和PBS稳定性的研究发现,燃烧合成法制备的ITZO TFT具有更高的短沟道性能,而且器件的PBS稳定性更好。同时还研究了钝化材料和薄膜沉积温度对ITZO-Hacac TFT器件的影响,研究发现使用SiO₂薄膜作为钝化层,且沉积温度为250℃时,器件电学性能优异且迁移率最高。（2）氧化物TFT稳定性对TFT在实际工作中尤为重要,我们采用溶液加工制备Ln-IZO薄膜晶体管,获得良好稳定性的TFT器件。我们研究了不同的掺杂浓度对器件的影响,研究发现随着掺杂浓度的增加,器件迁移率逐渐降低;还研究了Ln元素的电负性和原子半径对器件的影响,研究表明Ln-IZO TFT的迁移率不仅与Ln元素的电负性有关,还与Ln元素的原子半径有关。研究发现Ln系元素的电负性越低,Ln-IZO TFT器件的迁移率越低;Ln系元素的原子半径越低,Ln-IZO TFT器件的迁移率越高;最后我们还对比了IZO TFT和Yb-IZO TFT的稳定性,结果表明Yb的掺杂能够有效的改善器件的偏压稳定性,热稳定性以及光稳定性。