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半导体气敏传感器,以金属氧化物半导体(MOS)为例,当吸附待测气体后其电学性质(电导等)发生变化,利用此原理制成的各种器件已在气体的在线监测等领域得到广泛应用。然而MOS传感器普遍存在重复性差、灵敏度低、数据不稳定、使用寿命有限,且绝大部分只能在有氧条件下使用等缺陷,因此对MOS传感器进行深入研究意义重大。本论文主要围绕MOS传感器在无氧条件下对CO2、H2进行检测展开,从提高材料的灵敏度和稳定性等入手,通过掺杂制备了不同掺杂比的La-SnO2、Gd-SnO2、Lu-SnO2,Pd-SnO2、Pt-