近年来,由于云计算、物联网等新技术的兴起,以及手机,电脑,数码相机等电子产品的不断普及,大数据对高密度信息存储技术提出了更高的要求。存储器是计算机等电子设备的重要组成部分,它能够存储程序以及数据。传统的非易失性基于浮栅结构的闪存存储技术随着集成电路32nm技术节点的到来以及摩尔定律的限制,已经达到技术上的瓶颈,无法满足大数据存储的要求。发展新型的高密度的非易失性存储器件势在必行。阻变存储器（RRAM）作为下一代具有广阔前景的非易失性存储器之一,具有存储密度高,转变速度快,功耗低,可与CMOS兼容等特点,已经受到了研究者们的广泛关注。阻变存储器的结构一般为电极/阻变层/电极,其阻变来源于阻变层中离子迁移诱导的导电通道通断,因此阻变层材料的选择对阻变存储器件性能的影响是尤为重要的。有机-无机杂化钙钛矿材料由于其本身具有制备方法简单,高的载流子迁移率,带隙可调,优异的光吸收特性等特点,已经在太阳能电池等多种光电器件中得以研究。近年来,以CH₃NH₃PbI₃为代表的钙钛矿材料被证明具有离子-电子双重导电特性,在RRAM中展现出应用潜力。本论文利用CH₃NH₃PbI₃构筑RRAM器件,针对器件可靠性提升及多功能化开展了如下两方面研究工作:1.可靠性能的优化:针对CH₃NH₃PbI₃材料在空气中容易分解,以及器件导电通道随机形成而造成的阻变波动性大的问题,我们发展了一种在Ag电极和CH₃NH₃PbI₃薄膜之间插入银铟锑碲（AgInSbTe）作为缓冲层的方法。一方面,AgInSbTe能够保护CH₃NH₃PbI₃层免受空气中氧气和水分影响,延长器件服役时间;另一方面,AgInSbTe作为Ag快离子导体,能够控制Ag离子向CH₃NH₃PbI₃层注入,控制导电通道通断位置,提升器件阻变均一性。2.多功能的拓展:插入AgInSbTe后能够对导电通道通断位置进行有效控制,为器件的三态多级存储应用提供了可能。利用CH₃NH₃PbI₃遇水分解特点,构筑了可用于信息安全存储的瞬时溶解器件,最后将阻变层制备在柔性ITO衬底上,器件在弯折状态下仍保持较好的阻变特性,证明器件具有很好的柔性,为未来CH₃NH₃PbI₃柔性电子器件发展提供了可能。