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非易失性铁电存储器因其优良的特性而有着广泛的应用前景,被认为是最有潜力的存储装置。但是铁电存储器也存在一系列亟待解决的失效问题,主要包括疲劳、印记及保持性能损失。铁电存储器的失效现象本质上与铁电薄膜的极化(畴结构)有关。因此要解决铁电存储器的可靠性问题,就必须要研究影响铁电薄膜畴结构演化的因素及其内在的影响机理。界面失配应变、位错等微观结构会对铁电薄膜的畴结构产生重要的影响。关于界面失配应变,已有的研究表明铁电材料界面的失配应变会对畴壁产生影响,但其影响的内部机理尚不明确,需要进一步研究。位错作为一