正定算子值测量的实现和应用

来源 :延边大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fengzhongyun22
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,以量子力学原理为基础的量子信息理论开启了信息处理任务的新纪元,因为它能够使很多经典物理框架下不可能实现的信息处理任务成为可能.量子纠缠,作为量子信息处理和量子计算的核心资源之一,已经被广泛地用于检测量子力学的非定域性和设计量子信息处理方案.所以,对两体或多体之间纠缠状态的操作越来越受到科学家们的关注,尤其是最大纠缠态和部分纠缠态之间的相瓦转化.有时候会直接影响量子信息和计算精确程度,不同于量子力学中常见的正交投影测量,正定算子值测量是一种不要求测量算子间彼此正交的广义测量形式.它在量子信息和计算中有巨大的实际应用价值.  本文着重研究了对自旋比特实现正定算子值测量的理论方案,并且以这种测量为工具,构建了一种实验上可行的实现纠缠转化的量子线路.在正定算子值测量的实现方案中,我们首先引入一个自旋粒子作为辅助,通过考虑最近邻比特之间的自旋相瓦作用,利用海森堡自旋链系统的自由演化,成功地实现了对单自旋比特的正定算子值测量.而且我们构建了方案中所需的一个控制非门,并且将测量过程由两算子推广到了多算子情况.在构建实现纠缠转化所需的量子线路方案中,我们基于分解系统演化过程的方法,精确地构建了一组量子线路,从而实现了纠缠转化所需的测量算子.而且组成我们方案中量子线路的控制逻辑门操作已经被证实可以在当前的实验条件下实现.
其他文献
氮化铝(A1N)薄膜是一种重要的Ⅲ-V族半导体,在光学,电学和半导体领域具有很大应用潜能.氮化铝薄膜具有许多突出的物理化学性能,如宽的直接带隙,大的击穿场强,高的热导率,良好的化学稳定性,高表面声波速度,高熔点,低的热膨胀系数等.这些性质使它成为微电子学和光学领域内光电器件的绝缘层和缓冲层的最佳材料.所以,研究氮化铝薄膜的制备,性能,生长机理及应用都具有重要的意义.A1N和ZnO具有相同的六方纤锌
本论文利用无机盐原料及单一金属醇盐,采用Sol—Gel技术,制备了PLCT(x)纳米微粉及纳米陶瓷、PLCT(x)铁电薄膜以及PLCT(x)/Pt/Ti/SiO_2/Si多层异质结构,采用XRD、SEM、RAMAN、AFM、RBS、粒径分析、椭圆偏振法等现代分析技术,对PLCT(x)纳米粉体、陶瓷及薄膜的晶体结构、表面形貌、化学组分、薄膜厚度以及材料的退火工艺进行了研究;测试了PLCT(x)陶瓷的