随着半导体技术的快速发展,碳化硅（SiC）凭借特有的禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高等优良特性,使其成为制造高温、高频、大功率以及光电集成器件的理想材料,在微电子、光电子以及光伏行业得到了广泛应用。为了降低制造成本,被切割的晶体直径逐渐增大,晶片厚度在不断降低,同时对切割技术要求也越来越高。切割是SiC单晶片制造的第一道工序,切片的质量直接影响晶片后续加工工序中的材料去除量、晶片成品率、加工效率、最终晶片质量以及总加工成本。由于SiC硬度大、难以切割加工,所以如何高速、高效、高精度、高质量切割该材料成为亟需解决的难题。固结磨粒金刚石线锯切片技术由于具有切缝窄、材料去除率高、切片质量好和对环境污染小等优点而受到越来越广泛地关注,成为单晶硅、碳化硅等硬脆材料切片技术领域未来的发展方向。本文根据硬脆材料的压痕断裂力学理论,研究了电镀金刚石线锯切割单晶SiC材料去除机理。建立了切割过程几何模型,从理论上分析了线锯表面周向分布的磨粒在切割过程中的平均切削厚度以及线锯表面不同角度处金刚石磨粒的平均切削深度。对线锯切割过程中接触弧长的形成进行了分析,以单圈进给的方式建立了金刚石线锯在切割过程中线锯与工件接触弧长的预测模型。在往复式电镀金刚石线锯旋转点切割机上进行了 SiC单晶片的切割实验,分析了工件进给速度、线锯速度和工件转速对接触弧长的影响,通过与Matlab仿真结果进行对比,验证了模型的正确性,为后续的实验研究提供理论指导。对线锯切割SiC单晶片过程中单颗金刚石磨粒受到的法锯切力和切向锯切力进行分析,建立了金刚石线锯切割SiC单晶片过程中锯切力的理论模型,并通过实验,对理论模型进行验证和分析,研究了接触弧长与锯切力之间的关系,以及各加工工艺参数对锯切力的影响。