随着我国载人航天器的研究进展和原子能开发技术的研究进展,对半导体元器件在复杂辐射环境中稳定工作提出了更高要求。准确测量X射线硅吸收剂量是研究元器件辐射效应和开展电子器件抗辐射加固技术的基础,由于直接测量硅材料的吸收剂量比较困难,本文通过借鉴医学上测量水吸收剂量的方法,获得低能连续X射线常用辐射质水吸收剂量,然后再结合Monte-Carlo方法运用Geant4仿生工具包构建水模体与硅模体模型,模拟计算硅与水的吸收剂量转换因子,我们只需要通过测得的水吸收剂量就能换算得到硅吸收剂量。本文的主要研究内容如下:(1)首先对所使用的X光机建立了满足测量要求的辐射质,其中,实验测量得到的40kV、50kV、60kV管电压X射线辐射质的第一半值层、第二半值层和同质系数与JJG912-2010标准对比,最大偏差不超过5%,这是符合要求的,测量X光机固有过滤为0.118mmAl,并没有超过ISO-4037标准规定的3.5mmAl,另外分别得到了40kV、50kV、60kV管电压所对应的有效能量分别为19.805keV、24.059keV、31.391keV。(2)通过介绍DIN 6809-4标准、IAEA TRS277规程和IAEA TRS398规程这三种测量X射线水吸收剂量的标准方法,发现DIN 6809-4标准所采用的修正因子繁多,造成测量结果的不确定度高,因此采用基于照射量校准电离室或空气比释动能校准电离室的TRS277规程的方法测量计算低能X射线水吸收剂量,另外采用修正因子更加少的基于水吸收剂量校准因子校准电离室的TRS398规程测量计算低能X射线水吸收剂量。(3)通过SpekCalc程序模拟计算了40kV、50kV、60kV管电压时低能X射线的能谱分布,作为模拟X射线在水模体和硅模体中吸收剂量的基础,另外通过Geant4程序模拟计算了低能X射线硅和水的吸收剂量转换因子,即40kV、50kV、60kV管电压所对应的结果为6.2676、6.7020、6.9290与通过质能吸收系数方法得到的值进行比较,二者符合得很好,因此为测量低能X射线硅吸收剂量提供了一种新的方法。