纳米材料具有一系列特殊效应,如:小尺寸效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等,因而具有许多常规材料所不具备的性能,由此在各个应用领域都得到了广泛应用。众所周知,纳米材料的物理、化学性质依赖于其形貌、尺寸等微观结构,因此,为了很好地探究纳米材料的独特性质并且进一步拓宽纳米材料的应用领域,多种形貌、有着不同微观结构及位相的纳米材料的可控制备及研究已经成为当今材料科学领域的前沿热点。以氮化铟和二氧化锡为代表的半导体纳米材料,作为一种自然界不存在的新型半导体材料,由于有着优异的光电性质、化学稳定性好、灵敏度高等优点,在光电器件、功能材料等应用领域有着广阔的发展前景。其中,氮化铟纳米材料在室温下带隙宽度约为0.7 e V,与GaN、AlN的合金材料可以实现带隙宽度在紫外-深红外范围内可调,有着极其优异的光学性质,并为光电器件领域提供新的发展路径。本论文以氮化铟、二氧化锡纳米材料为研究对象,采用一种简单的化学气相沉积实验方法,成功制备出了具有特殊形貌的氮化铟、二氧化锡纳米材料,探究了具有特殊形貌的样品的生长机制,并对影响产物形貌和性质的因素进行了分析研究,着重讨论了氮化铟半导体纳米材料的光学性质及影响其光学性质的因素。所取得的主要结果如下:(1)采用化学气相沉积法成功制备出三维InN微米材料,即InN微米球及劈裂八面体状微米结构。对这些特殊形貌的InN微米结构的生长机制进行了讨论研究,确定两种形貌的InN样品的生长机制为自组装生长,并且分别经由两种不同的自组装过程生长而成。(2)为探究在同一实验条件下,在衬底的不同区域制备出两种不同形貌的原因,我们将CVD方法中影响产物形貌的因素结合本文所涉及实验条件进行逐一对比分析,并设计相应对比实验,确定其可能影响两种InN微米材料的因素为衬底不同区域反应物浓度不同。(3)对所制备的两种不同形貌的InN样品的光学性质进行了研究和比较,两种形貌InN样品均展现了展宽较宽的黄-橙色发光带,能带中心约为2.17 e V,远远大于InN纳米材料本征发光光学带隙理论值(~0.7 e V)。我们对其可能的影响因素进行了综合分析,认为所制备的InN样品与体材料本征带隙有较大差异,其可能由富氮的化学组分配比导致的。(4)采用化学气相沉积法成功制备一系列多种形貌的二氧化锡纳米材料,主要包括:纳米八面体、树枝状、雾凇状及不规则粒子结构的二氧化锡纳米结构,并对样品的生长机制进行了详细论述。我们设计一系列对比实验,并对最终样品进行形貌表征,以探究载气、反应温度及氧气流量等对样品形貌的影响。