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目的通过研究亚低温对大鼠局灶性脑缺血再灌注后iNOS 表达和细胞凋亡的影响,探讨亚低温脑保护的可能机制。方法线栓法制备SD 大鼠大脑中动脉闭塞(MCAO)再灌注模型,缺血时间2h。动态检测脑缺血后不同时间点缺血脑组织iNOS 活性,绘制其表达时程图。动物随机分为假手术组(Sham)、常温缺血组(NT)和缺血期亚低温组(IH),于iNOS 活性达高峰所对应的时间点取脑组织进行各项指标检测。观察不同组间脑梗死体积和组织形态学变化;检测各组不同脑区iNOS蛋白表达、iNOS 活性、NO 含量和细胞凋亡情况;免疫双重染色研究iNOS表达与细胞凋亡间的关系。结果1. 在NT 组,iNOS 活性表达的高峰位于脑缺血后48h。2. 常温缺血后48h,纹状体和皮质均检测到iNOS 活性升高和免疫阳性反应,且皮质缺血半暗带(IP)区iNOS 免疫反应明显高于纹状体和皮质缺血核心区。TUNEL 阳性细胞也主要位于皮质IP 区,免疫双重染色发现TUNEL 阳性细胞中存在着iNOS 蛋白表达,提示iNOS 表达和凋亡细胞在所处部位和细胞定位上存在相关。3. 亚低温明显缩小梗死体积,减轻组织病理学损伤,使部分皮质区得到拯救。4. 亚低温抑制皮质和纹状体iNOS 活性,明显下调IP 区iNOS 蛋白表达,减少NO 产生,同时亚低温也减少了皮质IP 区细胞凋亡的数目。结论1. 在缺血再灌注的后期阶段,由iNOS 产生的NO 参与了脑缺血再灌注后的病理损伤过程。2. 在IP 区,iNOS 蛋白表达和凋亡细胞在分布部位、细胞定位和表达数量上存在相关。3. 亚低温确实具有脑保护作用。4. 亚低温减少IP 区iNOS 蛋白表达,抑制iNOS 活性,减少NO 产生,阻遏细胞凋亡,这很可能是亚低温脑保护的作用机制之一。