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集成电路自诞生以来一直按照摩尔定律的趋势发展，集成电路的飞速发展使整个社会发生了巨大的变革，使人们的生活更加方便和轻松；集成电路的快速发展使集成电路的工艺尺寸不断减小，从而使集成电路的集成度越来越高，器件的栅氧厚度不断变薄，这也导致了器件更容易受到外界环境的干扰，使集成电路更容易出现问题；因此集成电路的可靠性问题随着工艺特征尺寸的缩小而愈发的凸显出来，到目前为止，集成电路的可靠性问题已经给人们的生活以及军事国防带来了巨大的损伤；所以研究集成电路的可靠性问题至关重要；由于集成电路的可靠性问题涉及的范围跟广泛，本篇文章主要从集成电路的老化和ESD防护两个方面来研究集成电路的可靠性问题。本篇文章的主要研究内容为：第一，对集成电路老化的机理进行分析和研究，找出解决集成电路老化检测的方法，并设计了一款可反馈自锁的检测集成电路老化的电路结构，通过时序分析和Hspice软件的模拟仿真来验证本文所提出电路结构的正确性，和以往的检测电路进行分析对比可以看出，本文所提出的检测电路结构在功耗和延迟方面都具有很大优势。第二，针对集成电路的ESD问题进行研究，分析了ESD的损伤机理，对二极管和GG-NMOS两种ESD防护电路的结构进行分析和研究，并使用ISE-TCAD器件仿真软件对两种电路进行仿真，得出两种ESD防护电路的钳位电压的温度特性曲线，通过比较得出GG-NMOS的ESD防护电路的性能效果更佳。