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本文采用离子束溅射方法制备Si/Ge多层膜红外探测材料。通过改变生长温度、溅射速率，掺杂等因素来得到一系列Si/Ge多层膜红外探测材料样品。通过X射线衍射、Raman散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。通过红外吸收谱的测量给出薄膜样品的红外吸收特性。对制备的Si/Ge红外探测材料样品进行了高温真空稳态炉退火研究，比较了退火前后晶体结构的变化，并给出了退火对材料热稳定性和红外吸收特性的影响关系。
本文利用自行设计制作的硅锗复合靶溅射生长Si1-xGex/Si异质结红外探测材料，通过X射线衍射、Raman散射、原子力显微分析(AFM)对薄膜的晶体结构进行了表征，通过红外吸收谱的测量给出薄膜样品的红外吸收特性。我们对样品进行了高温真空稳态炉退火研究，给出了退火对Si1-xGex/Si异质结红外探测材料的影响关系。