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氮氧化物是一种典型的大气污染物，可对人类的健康和环境造成严重威胁。一维氧化钨纳米线是一种高效的NO2气敏材料，在高性能低功耗NO2气敏传感器应用方面表现出巨大的潜力和良好的前景。本文采用了化学合成和物理浸渍两种掺杂方式对氧化钨纳米线进行了掺杂改性，研究了掺杂元素，掺杂浓度，掺杂方式对氧化钨纳米线微观形貌，晶体结构以及NO2气敏性能的影响。采用溶剂热法制备了纯净W18O49纳米线，纳米线沿主生长方向集结成束状结构，WCl6初始浓度影响氧化钨纳米线的微观形貌。化学合成掺杂不改变氧化钨纳米线的晶相结构，但抑制了纳米线沿主生长方向的生长并导致纳米线束发生二次聚集。物理浸渍掺杂基本不改变氧化钨纳米线的微观形貌，仅在纳米线表面形成分散的颗粒簇。钒、铜掺杂改性后的纳米线最佳工作温度降至室温，在室温条件下，掺杂纳米线对ppb级至亚ppm浓度的NO2显示了良好的气敏响应。而纯净的W18O49纳米线在室温下对1ppm NO2仅表现出极其微弱的气敏响应。钒、铜合成掺杂纳米线随工作温度升高出现了p-n电导反型现象。室温下，掺杂的W18O49纳米线表现为反常的p型半导体的性质。当工作温度升高至110℃左右时，导电类型从反常的p型逐渐转变为正常的n型。与钒合成掺杂纳米线相比，0.6at%铜合成掺杂纳米线表现出了更好的NO2室温气敏性能，对1ppm NO2响应灵敏度为3.38，响应时间恢复时间分别为6s和197s；对于物理浸渍掺杂的W18O49纳米线，6at%Cu掺杂的样品综合表现出了较好的NO2气敏响应，对1ppm NO2的响应灵敏度为2.64。当NO2气体浓度低于1ppm时，响应时间在25s-110s之间，恢复时间在2-5min之间。