化学辅助离子束刻蚀属于干法刻蚀的一种,可用来对物理器件进行微细加工。这种干法刻蚀方法是在真空环境中加入反应气体利用离子源产生高能离子束对样品进行轰击,由于反应气体的参与可以大大提高刻蚀速率,而且由于离子束刻蚀具有较好的刻蚀方向性,所以用这种方法来加工二维光子晶体是一种较好的方法。 本文基于光子晶体实验研究的目的,研究设计了一套适用于加工光子晶体的化学辅助离子束刻蚀系统。文中首先讲述了化学辅助离子束刻蚀系统的设计原理,完成了基本结构设计和设备基本参数的选取,所设计的化学辅助离子束刻蚀系统能够满足光子晶体制作的基本要求。然后对设备的刻蚀机理做了初步的研究,最后对刻蚀剖面做了一个简单的模拟。 模拟结果表明:刻蚀过程中的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀作用的比例对刻蚀剖面形状影响挺大,离子束发散角的大小对刻蚀剖面也有较大影响。