电子束曝光模型是研究电子束光刻技术的理论工具，它源于现实曝光过程中的微观现象，同时又可以为曝光实验提供参考依据和指导。　　 本文利用Monte Carlo计算方法模拟了低能电子在PMMA抗蚀剂中的散射过程，分别改变入射电子束能量、抗蚀剂厚度和衬底材料，研究分析了各因素对电子束曝光分辨率的影响，并通过大量仿真模拟确定了不同能量电子束的最佳抗蚀剂厚度。当电子束入射能量为1keV，抗蚀剂厚度为10nm或20nm，采用Si作衬底时，可以实现较高分辨率的表面成像技术工艺。　　 通过能量沉积密度曲线观察了选用Rutherford截面和Mott截面对于中高能电子束散射的近似程度，研究了背散射所引起的能量沉积变化，并模拟了中高能电子束穿越薄层抗蚀剂的情况。当电子束入射能量为50keV，抗蚀剂厚度为500nm，采用Si作衬底时，曝光图形轮廓横向扩散的半径尺寸可以控制在10nm以内。　　 针对抗蚀剂的性能研究了低能电子束刻蚀深度和曝光剂量的关系，描述了双层抗蚀剂应用的原理，并在此基础上提出了一套能够加工出“工”型截面的多层抗蚀剂配制方案。当电子束入射能量为1keV，PMMA抗蚀剂厚度为20nm时，该抗蚀剂能够获得较高的灵敏度，反差值可以达到2.72，有利于提高曝光分辨率。