随着纳米材料技术的发展,各种各样的纳米结构材料被制备出来。目前,研究的热点已经转向人工组装纳米材料及设计相关的纳米器件。而一维纳米材料因为其独特的物理化学性质,成为其中研究的热点。 1.用热蒸发的方法在300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃下直接在铜片表面生长氧化铜纳米线,然后使用XRD、SEM、TEM、HRTEM对氧化铜纳米线进行结构和形貌分析。结果表明,反应温度在500℃～600℃间的氧化铜纳米线形貌较好。然后测试450℃下不同生长时间的氧化铜纳米线的场致电子发射性能。结果与理想的场发射情况不同,本文认为是因为在氧化铜纳米线和导电衬底间存在氧化亚铜薄膜引起的。 2.利用气相沉积法,使锌在低氧气氛下生长出一种高缺陷的氧化锌晶体,通过XRD,TEM对产物进行表征。随后将氧化锌晶体在氧气中,分别在800℃、900℃、1000℃下退火1小时,对氧化锌晶体做表面修饰。PL光谱实验和光催化降解实验表明氧化锌晶体的氧空位、表面态和光催化活性间存在一定联系。结果显示,1000℃下退火的样品表面缺陷程度强于800℃和900℃下退火样品,光催化活性也优于后两者。