金属点缺陷普遍存在于半导体制造业所采用的金属铝薄膜中。这种缺陷严重影响高清晰度的硅基液晶微显示器LCOS(Liquid Crystal On Silicon)的金属反射薄膜的平坦度以及反射率,同时也影响芯片后段封装测试的良率,甚至导致产品的可靠性问题。虽然国际上普遍认为金属点缺陷是金属铝与铜在电解液中发生的原电池反应所造成的,也提出了个别的预防方法,但缺少对于各种预防手段的综合应用,特别是有系统地应用在LCOS工艺的研发上。本文通过一系列的分析方法对金属点缺陷的形态、结构、成分进行了比较全面的解析;详细阐述了金属点缺陷的形成机理,并通过大量的实验来加以验证;最后针对金属点缺陷的形成条件,通过LCOS产品的流片实验,找到了比较有效的三种针对金属点缺陷的改善方法:减少清洗时间、沉积氧化硅保护层以及增加金属铝层表面的氧化处理。提出了同时使用三种改善措施可以大幅度提高LCOS产品的良率,并用实验验证,对LCOS产品的研发及CMOS工艺的完善有一定的指导意义和商业价值。